DRAM（Dynamic Random Access Memory），又称动态随机存取存储器，是一种存储常用数据的随机访问内存（RAM），它与传统的静态RAM（SRAM）有着显著的区别。DRAM的工作原理是在外部信号时钟（clock）的控制下，使用一组由电容（capacitor）所组成的小电路来保存数据，每个电容可以存储一位二进制数据，其电容是一个开关，可以在两种状态之间反复地切换，其中一种状态代表一位数据“1”，另一种状态代表一位数据“0”。
运行DRAM时，需要不断将其中的每个位清零，才能恢复正确的数据存储，这种操作就称为刷新（refreshing），DRAM 可以使用固定的时钟信号（clock）快速地进行刷新，这样它就可以存储大量数据，并且它的尺寸和运行时间都较SRAM要小得多。
DRAM的工作原理与SRAM有些不同，它必须不断地刷新电容，才能保持存储的数据，也就是说它消耗的电量要比SRAM多得多，但是它需要较小的尺寸以及较少的运行时间才能完成操作，容量也显著地大于SRAM。因此，DRAM 容量大，速度慢，节省电能，不适合并发读写和低延迟，但可以存储更大容量的数据，因此更适合大规模存储数据，比如操作系统，应用程序，大量文本文件等。
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